以中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所高質量薄層石墨烯制備技術成果為基礎，日前正式推出典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質量薄層石墨烯導熱粉體產品。目前，薄層石墨烯導熱粉體的生產規模初步放大，已經能滿足科技研發和工業應用的需求。
高質量薄層石墨烯的規?；苽湟恢笔鞘┬袠I的巨大挑戰。中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所此前獲得了高質量石墨烯的層間催化解離制備、電化學插層解離制備、高密度三維石墨烯及層數可控石墨烯制備等技術突破。經過潛心技術攻關，推出了典型厚度分別為1nm和2~3nm的高質量薄層石墨烯導熱粉體產品。典型厚度為1nm產品具有3個原子層的超薄厚度、近乎完美的晶化質量，產品純度、層厚、尺寸、電導率、熱導率等綜合性能指標均達到國際同期產品領先水平。
高質量薄層石墨烯導熱粉體是利用插層解離方法，不同于傳統的氧化工藝，保留了石墨片層優異的導電、導熱性能。由高質量薄層石墨烯導熱粉體壓制而成的薄膜其電導率高達105S/m，為目前國際最理想水平。